Descripción
| MARCA | GIGABYTE | |
| NUMERO DE PARTE | GP-GSM2NE3100TNTD | |
| CAPACIDAD | 1 TB | |
| INTERFAZ | PCI-E 3.0 X4 | |
| VELOCIDAD DE LECTURA | 2500 MB/S | |
| VELOCIDAD DE ESCRITURA | 2100 MB/S | |
| FORMATO | 2280 | |
| TIPO DE CHIP | TIPO CHIP | NAND FLASH |
| DIMENSIONES DEL PRODUCTO | 80 x 22 x 2.3 MM | |
| CONDICIONES DE OPERACION | TEMPERATURA | 0°C A 70°C |
| CONDICIONES DE ALMACENAJE | TEMPERATURA | -40°C A 85°C |
