Descripción
MARCA | GIGABYTE | |
NUMERO DE PARTE | GP-GSM2NE3100TNTD | |
CAPACIDAD | 1 TB | |
INTERFAZ | PCI-E 3.0 X4 | |
VELOCIDAD DE LECTURA | 2500 MB/S | |
VELOCIDAD DE ESCRITURA | 2100 MB/S | |
FORMATO | 2280 | |
TIPO DE CHIP | TIPO CHIP | NAND FLASH |
DIMENSIONES DEL PRODUCTO | 80 x 22 x 2.3 MM | |
CONDICIONES DE OPERACION | TEMPERATURA | 0°C A 70°C |
CONDICIONES DE ALMACENAJE | TEMPERATURA | -40°C A 85°C |